ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。
近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。
新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等电商平台均可购买。
未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。
＜产品阵容＞
详细产品信息请点击官网链接，例RS6G120BG
＜应用示例＞
- ◇通信基站和服务器用的电源
- ◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。
＜电商销售信息＞
起售时间：2023年4月开始
电商平台：Ameya360，Sekorm，Oneyac，RightIC
在其他电商平台也将逐步发售。
1枚起售
＜术语解说＞
- *1) Nch MOSFET
-
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。
与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。 - *2) 导通电阻（Ron）
- MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。
- *3) Qgd（栅-漏电荷）
- MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。
＜新产品参考资料"Featured Products"＞
非常适用于基站、服务器用的电源和工业设备、消费电子设备用的电机驱动应用
低导通电阻 Nch 功率MOSFET（铜夹片型）
RS6xxxx系列/RH6xxxx系列（PDF:940KB）
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
