ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”
产品型号 | 数据表 |
电源电压 范围 [V] |
输出电压 [V] |
输出电流 (Max.) [A] |
输出 电压精度 [%] |
静态电流 (Typ.) [μA] |
输出电压 可调 |
断路 开关 |
支持车载 AEC-Q100 |
工作温度 范围 Tj [℃] |
封装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD9xxM5EFJ-C |
3 ~ 42 |
3.3/5.0/ 可调 |
0.5 | ±2.0 | 9.5 | ✓ | - | ✓ |
-40 ~ +150 |
HTSOP-J8 |
|
BD9xxM5WEFJ-C | ✓ | ✓ | ✓ | ||||||||
☆BD9xxM5FP-C | - | - | - | ✓ |
TO252-3 |
||||||
✓ | - | ✓ |
TO252-5 |
||||||||
☆BD9xxM5WFP-C | - | ✓ | ✓ | ✓ |
TO252-5 |
||||||
☆BD9xxM5HFP-C | - | ✓ | - | ✓ |
HRP5 |
||||||
☆BD9xxM5WHFP-C | - | ✓ | ✓ | ✓ |
※输出电压决定产品型号的“xx”(例 :3.3V=BD933M5~,5.0V=BD950M5~,可调=BD900M5~)
IGBT单管性能的提升对系统效率和可靠性至关重要。通过采用新型材料如宽禁带半导体,优化芯片布局、电极设计和封装方式,以及精确控制工作状态,可以有效提高IGBT单管的击穿电压、耐高温性能,降低导通和开关损耗,提高工作效率和稳定性。
IGBT单管作为现代电力系统中的关键电力电子器件,具有高开关速度、低导通压降、高电压承受能力和热稳定性等优点,广泛应用于电动汽车、风力发电、高压直流输电等领域。然而,其制造成本高、性能受温度影响、开关损耗以及需要复杂驱动和保护措施等缺点也不容忽视。
IGBT单管的制造涉及硅片处理、氮化硅沉积、掺杂处理、介电层沉积、金属化、平坦化以及封装等关键步骤,确保单管的电气性能和稳定性。IGBT单管广泛应用于家用电器和工业控制领域,实现高效电能转换与控制。然而,在大功率应用中,IGBT模块因更高的效率和稳定性而更受欢迎。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向中小功率(30W~1kW级)的工业设备和消费电子设备,开始提供LogiCoA™电源解决方案,该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件,在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新,实现性能提升。同时,集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面,国内也呈现出蓬勃态势。