罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,其于2018年新推出的BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C均为汽车级单通道低侧开关IC,为单片式电源管理芯片,控制模块(CMOS)和功率MOSFET安装在单芯片上。均已通过AEC-Q100认证,满足汽车级产品使用需求,非常适用于驱动电阻、电感、电容负载等领域。
图1 BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC在电气方面均具有高可靠性。内置过流保护功能(OCP),可有效防护电流过高对IC造成的损害;且内置热关断功能(TSD),能够检测芯片内部温度,避免过高的温升对芯片造成不可逆的损害;内置有源钳位电路,可以有效防止电位突变,抑制尖峰电压,避免尖峰电压对IC的损害,保护后端电路。 在电气参数方面。BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC的输入电压范围均为3V~5.5V(典型值5V),输出钳位电压典型值为48V;BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的最大的差别在于导通电阻,在VIN = 5V、IOUT = 2.4A、Tj = 25℃时BV1LB028FPJ-C的导通电阻典型值为28mΩ,BV1LB045FPJ-C的导通电阻典型值为45mΩ。相较之下BV1LB028FPJ-C具有更低的通态损耗,导通状态热损更低;另外,BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的过电流检测电流典型值分别为40A和24A,设计者需根据实际电路电流需求合理选择;在有源钳位能量方面,BV1LB045FPJ-C的消耗更低,BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C的有源钳位能量分别为300mJ和150mJ(Tj(START) = 25°C)。
BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC的储存温度范围均为-55℃~150℃,可允许的最大结温为150℃,工作温度范围为-40℃~150℃,满足汽车级产品的使用需求。均采用TO252-J3封装,封装尺寸均为6.60mm*10.07mm*2.50mm,其引脚配置如下:
图2 BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC引脚配置 BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC突出特点与优势 ·已通过AEC-Q100认证 ·内置过流保护功能(OCP) ·内置热关断功能(TSD) ·内置有源钳位功能 ·从CMOS逻辑IC启用直接控制 ·BV1LB028FPJ-C的导通电阻典型值为28mΩ(VIN=5V、IOUT=2.4A、Tj=25℃) ·BV1LB045FPJ-C的导通电阻典型值为45mΩ(VIN=5V、IOUT=2.4A、Tj=25℃) ·单片电源管理IC,控制模块(CMOS)和功率MOSFET安装在单芯片上 BV1LB028FPJ-C和BV1LB045FPJ-C低侧开关IC应用领域 ·驱动电阻 ·电感 ·电容负载
|