【10月活动】SiC MOSFET知识擂台赛-罗姆答题你最行

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为了给工程师持续输出优质又便捷的学习内容, 万众瞩目的罗姆R课堂第六期又与大家见面啦！！！本期迎来的重磅嘉宾是SiC MOSFET，鼓掌，撒花！！！

中奖名单公布：(中奖请联系管管QQ：1282559705登记 实物奖品登记收货信息，京东卡登记邮箱）

转盘奖励：

一等奖        小米热水壶   wx暗夜霜

二等奖        保温杯      lospring

二等奖        保温杯        woodwang

三等奖        品胜三合一数据线        dzwwzd6699(已发）

三等奖        品胜三合一数据线        tvb2058(已发）

三等奖        品胜三合一数据线        陌路夕颜(已发）

四等奖        得力插座        sumoon_yao

四等奖        得力插座        流水源

四等奖        得力插座        joshuaa

四等奖        得力插座        hjf200

五等奖        10元京东券dzwwzd6699

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话不多说，让我们先来看看关于“SiC MOSFET”的资料~

近年来，随着AI和IoT的发展和日益普及，对云服务的需求不断增长。与此同时，全球范围对数据中心的需求也随之增加。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展，而如何降低功耗量就成为一个急需解决的课题。另一方面，以往服务器的功率转换电路中，主要采用的是硅（Si）元器件，后来，损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。

2015年，ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产，并一直致力于领先于行业的产品开发，更是于2019/2020年都推出了多款SiC MOSFET产品，实现了品质和功能上的飞跃。未来也会继续推进创新型元器件的开发，同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案，为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。了解罗姆SiC MOSFET，资料知识不能少~

l  l 前言

l  SiC MOSFET的桥式结构

l  SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

l  桥式电路的开关产生的电流和电压

l  低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

l  低边开关关断时的栅极– 源极间电压的动作

l  总结

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除了资料干货，当然也少不了答题~人人有奖哦~(单个用户只能中奖一次）

怎么参加？往下看

学习上方资料并答题，即可参加活动~

活动形式：围绕资料，小R每天出两题，每题两次回答机会。用户回帖答题，全部回答正确即可获得30罗姆豆/天（罗姆豆有何用？？先去转盘看一看）

转盘奖品展示：

一等奖：小米热水壶x1          二等奖：保温杯x2  

三等奖：品胜三合一数据线x3        四等奖：得力插座x4   

五等奖：10元京东券x5         六等奖：7 ROHM金币(数量不限)

七等奖：5罗姆豆（数量不限）

（金币有何用，去商城看看吧~）

活动时间：10.21-10.30（转盘开放时间：下午14:00-14：30）

题目：

1. 下图中的A和B分别表示什么？（）

A．A:HS、B:HS

B．A:LS、B:LS

C．A:HS、B:LS

D．A:LS、B:HS

来源：前言_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

2. 题1中的电路是使用SiC MOSFET时最简单的哪种电路？（）

A. 同步式boost电路

B．异步式boost电路

C．同步式buck电路

D．异步式buck电路

来源：SiC MOSFET的桥式结构_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

3. 下图中哪个表示死区时间？()

A．T1

B．T2

C．T3

D．以上答案都不是

来源：SiC MOSFET的桥式结构_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

4. 下图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路，其中的ABC分别表示什么？（）

A．A:SourceB:Gate C:Drain

B．A:GateB:Drain C:Source

C．A:DrainB:Gate C:Source

D．A:DrainB:Source C:Gate

来源：SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

5. 该波形图中的ABC分别表示什么？( )

A．A:GateSignal B:Drain-Source Voltage C:Drain Current

B．A:GateSignal B:Drain Current C:Drain-Source Voltage

C．A:DrainCurrent B:Drain-Source Voltage C:Gate Signal

D．A:Drain-SourceVoltage B:Drain Current C:Gate Signal

来源：SiC MOSFET的桥式结构_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

6. 上图中，以下哪个说法是正确的（）

A．T3： LS为ON时的时间段

B．T7： HS为ON的时间段（同步整流时间段）

C．T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段

D．以上说法都正确

来源：SiC MOSFET的桥式结构_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

7. 根据该电路图，以下说法错误的是？（）

A．该电路是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路

B．该电路是HS导通的情况

C．

D．

来源：桥式电路的开关产生的电流和电压_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

8. 根据该波形图，以下说法正确的是？（）

A．RG_EXT越小，由事件(I)引起的VGS下降就越大

B．要想降低诱发LS导通时HS误启动的事件(II)-2的VGS升程，就需要减小HS关断时的外置栅极电阻RG_EXT

C．当减小RG_EXT时，LS的dVDS/dt将增加

D．以上说法都正确

来源：低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

9.根据该波形图，以下说法错误的是？（）

A．要想减少这种关断时的HS负浪涌，需要减小HS栅极电阻RG_EXT

B．HS中事件（IV）引起的负浪涌通常不会超过额定值

C．由VDS的变化引起的事件（IV）的影响很小

D．事件（V）的浪涌非常明显

来源：低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

10. 以下关于SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作，说法正确的是（）

A．Turn-on时和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同

B．HS产生的负浪涌可能会超过额定值

C．作为解决误启动问题的对策，可以采用减小外置栅极电阻值的方法，但是需要设法仅减小HS关断时的栅极电阻，以免影响其他动作

D．以上说法都正确

来源：总结_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

11. 根据该电路图，以下说法错误的是？（）

A．事件(I)、(VI) → 漏极电流的变化（dID/dt）

B．事件(II)、(IV) →漏极－源极电压的变化（dVDS/dt）

C．虚线是有浪涌影响的波形

D．事件(III)、(V) →漏极－源极电压的变化结束

来源：什么是栅极－源极电压产生的浪涌？_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

12.以下说法正确的是（）

A．以下说法都错误

B．完全不需要担心SiC功率元器件LS导通时在非开关侧（HS）出现的正浪涌问题

C．开关侧不会出现SiC功率元器件中栅极-源极电压（VGS）的正浪涌

D．应用SiC功率元器件时，无需考虑浪涌

来源：浪涌抑制电路_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)

13. ROHM Solution Simulator有什么优点？（）

A．在线仿真工具，只要注册MyROHM即可使用

B．提供以常用电路为主的大量“Solution Circuit”，有助于提高应用产品的开发速度

C．拥有SVC帐户，就可以在您自己的SVC环境中使用仿真数据。

D．以上说法都正确

来源：什么是ROHM Solution Simulator？_罗姆电源设计R课堂

14. ROHM能够提供哪些支持工具？（多选）

A．ROHM Solution Simulator

B．SiC支持页面

C．SPICE模型一览表

D．热模型一览表

E．应用指南一览表

F．以上说法都正确

来源：什么是ROHM Solution Simulator？_罗姆电源设计R课堂

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