-每日话题-采用具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET

sumoon_yao · 发表于 2021-3-24 22:54:50

罗姆独特的驱动器源极引脚技术使得SiC MOSFET具备极低的导通电阻和关断损耗，有利于提高产品在车载充电器等车载应用的市场占有率。

luck_gfb · 发表于 2021-3-25 20:42:49

SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势，尤其是在大电流条件下，由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响，因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快。这两个优点显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。

stary666 · 发表于 2021-4-6 10:00:09

解决这种问题的方法之一是采用具备“驱动器源极”引脚的功率元器件封装。通过配备将源极引脚和栅极驱动环路分开的驱动器源极引脚，可以消除导通时的源极电感（LS）对栅极电压的影响，因此不会因电压降而降低导通速度，从而可以大大减少导通损耗

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