ROHM新型Buck-Boost DC/DC变换器实现再次突破!
今天,Rohm宣布推出一种具有集成MOSFET的降压型DC/DC变换器,
关键特征
应用实例
-
投币电池成套设备(即物联网) -
锂离子电池设备,包括智能手机、平板电脑和个人电脑。 -
电池驱动的设备,如玩具和电动牙刷。
移动设备节能电源集成电路系列
评估委员会
进入2017年,就在业界为即将到来的物联网产业大机遇而倍感兴奋的时候,Gartner的一份最新调查却迎头泼了一盆凉水:消费者最初被可穿戴设备的新奇功能和华丽外表所吸引而购买,但是有近三分之一的用户在使用一段时间后感到无聊然后抛弃了它们,智能手表弃用率为29%、健身类可穿戴设备弃用率为30%。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET)电子设备。它可以作为压控电流源,主要用于开关或放大电信号。MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行的。当MOSFET导通时,电流通过体区(称为bulk或body)中形成的沟道,从MOSFET的漏极流向源极。大多数情况下,MOSFET的体区与源极相连,这也是MOSFET通常被称为3引脚器件的原因。
高功率密度电源设计一直是电力行业最热门的话题。近年来,各种消费品着墨在设计的小型化和轻量化。随着半导体材料和工艺的进步,或是突发其来的机构设计灵感,我们可以继续见证功率尺寸的不断突破,完成不可能的任务。
目前,处理器性能的主要指标是时钟频率。大多数集成电路(IC)该设计基于同步架构,同步架构采用全局一致时钟。这种体系结构非常流行,许多人认为它也是数字电路设计的唯一方法。然而,一种非常不同的设计技术正在走上前台:异步设计。这项新技术的主要推动力来自硅技术的发展。随着硅产品的结构减小到90纳米以下,降低功耗已成为当务之急。异步设计具有功耗低、电路可靠性高等优点,被认为是满足这一需求的一种方法。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体材料具有优越的性能,以更高的效率,更小的形式因素,更低的成本满足了电机、电机、变频器等大功率工程的需求,并可以采用更复杂的拓扑结构来减少电磁干扰(EMI)...