ROHM开始量产超高性能的650V耐压GaN HEMT
本文转自罗姆官网
引言
随着科技的不断发展，在当下，电源和电机的用电量占全世界用电量的比例已超过一半，为了实现无碳的绿色社会，如何提高它们的效率已经成为了一个全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。
产品特点
新产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.（以下简称“台达电子”）的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.（以下简称“碇基半导体”）联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2）方面，达到了业界超高水平。因此，新产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，新产品还内置ESD*3保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此，新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
购买途径
新产品已于2023年4月起投入量产（样品价格 5,000日元/个，不含税），并已开始网售，通过Ameya360、Sekorm等电商平台均可购买。
总结
ROHM将不断致力于进一步提高器件的性能，同时，除了元器件的开发，ROHM还积极与业内相关企业建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，通过助力应用产品的效率提升和小型化，持续为解决社会问题贡献更多的力量。
PIN二极管作为关键的微波半导体器件，其性能提升涉及多个方面。首先，精确控制I层的掺杂浓度和分布是关键，需严格把控材料选择、切割、清洗、扩散、退火等制造过程的工艺稳定性。其次，优化PIN二极管的温度特性、高频性能以及集成化水平也是技术挑战。
PIN二极管是一种特殊半导体器件，由P-I-N三层结构组成，具有高阻抗和低噪声特性。其I层在施加不同直流电压时，载流子数量变化影响阻抗状态，可用于微波信号的通断控制。PIN光电二极管在高速通信和传感系统中发挥关键作用，如光信号响应和安防系统应用。
变频电机通过改变供电频率实现调速，具有调速范围广、精度高等优点，在工业自动化、风力发电等领域应用广泛。普通电机则固定转速，结构简单且经济，适用于恒速运转和成本敏感场合。国内变频电机发展迅速，但与国际先进水平在可靠性等方面仍有差距；普通电机发展平稳，面临能效和环保挑战。
变频电机通过变频器实现转速连续可调，提升变频器性能是提升变频电机性能的关键。优化变频电机设计和选用高性能材料可提升整体性能。普通电机在控制方式和节能性能上存在局限，而变频电机具有更高控制精度和能源利用效率。随着工业自动化和绿色环保理念的深入，变频电机将迎来更广阔的发展空间，实现智能化和与其他设备的集成，提高设备可靠性和降低生产成本。
变频电机与普通电机在原理和结构上有显著区别。普通电机基于电磁感应和电磁力工作，具有固定转速和功率。而变频电机采用变频技术，通过变频器调整电流频率控制转速，实现灵活调整以适应不同负载需求。结构上，变频电机包含变频器和控制系统，定子设计更复杂以提高能效。
